BASE
スピントロニクス
省電力半導体開発拠点
スピントロニクス半導体と
その応用システム開発で世界を先導
本拠点は、スピントロニクス省電力半導体開発における世界で唯一 の 300mm プロセス対応 R&D 施設です。設計・材料・デバイス・チッ プ実証・システム化までを一貫して開発できます。これにより、世界を先導する省電力技術である消費電力 1/100 のスピントロニクス ロジック半導体とその応用システム開発で世界を先導します。
受賞歴
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第 14 回産学官連携功労者表彰 内閣総理大臣賞(遠藤哲郎教授)
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平成 29 年度全国発明表彰(遠藤哲郎教授)
拠点の強み
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01
世界で唯一の 300mm プロセス対応試作 ライン
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02
チップ実証・評価に対応する各種評価解析装置群
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03
設計・材料・デバイス・チップ実証・システム化までを一貫して開発実証可能
導入事例
研究者の紹介
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教授
遠藤 哲郎 | Tetsuo Endoh
将来のカーボンニュートラルな社会の実現に向けて、①様々なシステムの情報処理を司るAI・IoT・FPGA・GPUプロセッサからメモリまでの半導体チップの動作電力を削減するグリーンエレクトロニクス技術(低消費電力技術)や、②高効率なパワーマネージメントを実現するパワーエレクトロニクス技術(高効率電力変換技術)を研究すると共に、その産学連携実用化開発を推進しています。加えて、若手研究者・技術含め人材育成にも貢献して参ります。
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教授
髙橋 良和| Yoshikazu Takahashi
SiCパワーデバイスや横型GaN on Siパワーデバイスの優れた低損失・高周波特性を最大限に活かしたパワーモジュール・パワーユニット及びそれらの応用製品である次世代インバータ/コンバータ を開発して参ります。
拠点
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スピントロニクス省電力
ロジック半導体開発拠点スピントロニクス技術を用いた省電力グリーンロジック半導体・AIプロセッサ、次世代型混載メモリ(MRAM)の設計・試作実証・評価とそのシステム開発
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半導体製造プロセス・部素材・
イメージセンサ開発実証拠点ウルトラクリーンプロセス技術・イメージセンサ技術を基軸とした「製造中の極小パーティクル計測」「ガスフロー可視化」「部素材の超クリーン化」「極限性能イメージセンサの開発・試作実証」「配線材料開発」
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MEMS設計・プロセス
開発実証拠点自動運転車等に必須の慣性センサ、フォトニクス、通信デバイス等のデバイスや高度実装技術について、研究開発、技術評価・試作
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