RESEARCH SEEDS

テラヘルツ帯新材料・新原理半導体デバイスの創出とそのICT応用


教授

尾辻 泰一

Taiichi Otsuji

メッセージ

半導体ヘテロ接合構造やグラフェンに発現する2次元プラズモン共鳴を利用した新しい動作原理のテラヘルツ帯レーザーや高速トランジスタの創出を目指します.さらに,これら世界最先端の超ブロードバンドデバイス・回路を応用して,次世代 6G, 7G 超高速無線通信や安心・安全のための新たな計測技術の開発を進めています.