青色発光ダイオードで知られている窒化物半導体InGaAlNは、照明用白色LEDや携帯電話の基地局用トランジスタを実現している。しかし、窒化物半導体自身からなる基板に関しては、いまだに市販されていない。現状では異種基板上に結晶成長されており、貫通転位密度が108/cm2もあり、従来の半導体材料の103/cm2以下に較べて極めて劣悪である。従来の半導体の結晶構造は全て立方晶系であるのに対して、窒化物半導体は六方晶系であるが、その特長も活かされていないのが現状である。本研究室では、世界に例を見ない結晶極性を制御し、素子作製を行える技術を保有している。この技術を発展させて、GaN単結晶基板、ポスト5G用高周波・高出力トランジスタ（特許出願中）、殺菌用短波長光源、高出力半導体レーザなどの研究を行う。