世界最高感度・分解能を持つ静電容量顕微鏡であるSNDMを用いて、最先端の微細化された半導体素子中のドーパント分布計測，次世代ワイドバンドギャップ半導体MOSパワーデバイスの界面欠陥評価、太陽電池の劣化現象の解析等を行い種々の次世代半導体素子の性能劣化原因を原子レベルで解明し、製造プロセスにフィードバックする。